檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "Ying-Sheng Huang".ecommittee (精準) and year="95"
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術，其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份，本研究以Raman、RHEED系統量測…
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為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜，並配合熱滯留輔助結晶技術，在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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本論文研究半透光膜輔助矽膜雷射長晶，在Si (90 nm)/SiO2 (100 nm)/SiONx (1200 nm)，α=15000 cm-1條件下，成功得到20 µm的矽晶粒，並利用…
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本研究的目的主要在設計及製造一種單層多晶矽非揮發性記憶元件，此元件係由N-型場效電晶體 (NMOSFET) 及金氧半 (MOS)電容器組合而成。場效電晶體的閘極和電容器的下電極共用同一層多晶矽，而此…
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本實驗利用熱化學氣相沉積法成長圖形化的奈米碳管束。利用微影製程在矽基板上製作出不同半徑與不同間距的圖形化。改變不同的成長時間來控制奈米碳管束的高度。鐵當做觸媒金屬層，鋁為緩衝層。成長碳管的最佳條件為…
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本研究探討以鑭鈣鈷鐵氧化物(La0.75Ca0.25)(CoxFe1-x)O3 (x=0.1~0.9)，作為匹配鑭鏑鉬鎢氧化物電解質(La1.8Dy0.2)(Mo2-xWx)O9 (x=0.4及1.…
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本實驗是先分別於三種氣氛下以TMGa/Cp2Mg/NH3之MOCVD系統成長p型氮化鎵薄膜。首先，在全氮氣氣氛下成長時，發現成長壓力為75 torr時，可以成長出表面較為平坦的薄膜，但因薄膜電性仍未…
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本論文藉由反應性濺鍍的方法，研究在濺鍍矽網印於SA(100)及SA(012)基板上，選擇性區域成長二氧化釕奈米桿。二氧化釕奈米桿垂直成長於SA(100)基板上，傾斜35o成長於SA(012)基板，利…
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我們使用密度泛函數(DFT)法研究SiH4, GeH4, Si2H6, and Ge2H6分解吸附與氫遷移和脫附於SiGe(100)-2x1表面。由於鍺加入於Si(100)-2x1表面內影響了dim…